美光3D NAND采用替代栅极架构:明年将量产

时间:2019-10-09 15:13:26 作者:admin

存储行业跟着物联网期间的降临也迎来了一波新的开展机会,克日,依据最新音讯表现,美系存储巨子,美光的第四代3D NAND芯片实现首批流片,新一代产物基于美光全新研发的替换栅极架构,将于来岁开端小范畴量产。

依据知恋人士泄漏,美光新型替换栅极架构将初次使用正在128层闪存当中,持续相沿CMOS阵列,新一代的替换栅极构造无望让Die size以及本钱进一步减小。

美光团体CEO对于此透露表现,今朝曾经乐成实现替换栅极架构的3D NAND芯片的初次流片,这一里程碑的停顿低落了产物技能向下一代技能过渡的危害,而且夸大首替代代栅极架构将被使用正在128层NAND产物上,先期会被使用到特定的产物线。

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